Poháňané kritickými aplikáciami, širokým rozpätím polovodičových aplikácií

Keď polovodičový priemysel postupne vstupuje do post-Mooreovej éry,polovodiče so širokou pásmovou medzerousú na historickej scéne, ktorá je považovaná za dôležitú oblasť „výmenného predbiehania“. Očakáva sa, že v roku 2024 sa polovodičové materiály so širokým pásmovým rozdielom reprezentované SiC a GaN budú naďalej používať v scenároch, ako sú komunikácie, nové energetické vozidlá, vysokorýchlostná železnica, satelitná komunikácia, letectvo a iné scenáre. použité. Trh aplikácií dosahuje rýchlo.

Maximálny trh aplikácií pre zariadenia z karbidu kremíka (SiC) je v nových energetických vozidlách a očakáva sa, že otvorí desiatky miliárd trhov. Konečný výkon kremíkovej základne je lepší ako kremíkový substrát, ktorý môže spĺňať aplikačné požiadavky za podmienok, ako je vysoká teplota, vysoké napätie, vysoká frekvencia, vysoký výkon. Súčasný substrát z karbidu kremíka sa používa v rádiofrekvenčných zariadeniach (ako je 5G, národná obrana atď.) a anárodnej obrany, atď.Napájacie zariadenie(ako je nová energia atď.). A v roku 2024 bude SIC rozširovať výrobu. Výrobcovia IDM ako Wolfspeed, BOSCH, ROHM, INFINEON a TOSHIBA oznámili, že zrýchlili svoju expanziu. Predpokladá sa, že produkcia SiC v roku 2024 vzrastie najmenej 3-krát.

Nitridová (GaN) elektrická elektronika bola aplikovaná v mierke v oblasti rýchleho nabíjania. Ďalej je potrebné ďalej zlepšovať pracovné napätie a spoľahlivosť, pokračovať vo vývoji vysokej hustoty výkonu, vysokofrekvenčných a vysokých integračných smerov a ďalej rozširovať oblasť použitia. Konkrétne použitiespotrebná elektronika, automobilové aplikácie, dátové centrá, apriemyselnýaelektrické vozidlása bude naďalej zvyšovať, čo podporí rast odvetvia GaN o viac ako 6 miliárd USD.

Komercializácia oxidácie (Ga₂O₃) sa blíži, najmä v oblastiachelektrické vozidlá, systémy elektrickej siete, kozmonautikaa ďalšie oblasti. V porovnaní s predchádzajúcimi dvoma môže byť príprava monokryštálu Ga203 dokončená metódou rastu topenia podobnou kremíkovému monokryštálu, takže má veľký potenciál zníženia nákladov. Zároveň v posledných rokoch urobili Schottkyho diódy a kryštálové rúrky na báze oxidových materiálov prelomový pokrok z hľadiska konštrukčného dizajnu a procesu. Existujú dôvody domnievať sa, že prvá várka diódových produktov SCHOTTKY bude uvedená na trh v roku 2024.